因子數據研究部—巫宗倫

專利分析

技術分類	專利號	Ai評分	標題	專利摘要
半導體封裝技術	TWI820855B	94	磊晶結構	一種磊晶結構，包括第一型半導體層、發光層、第二型半導體層以及緩衝層結構。發光層設置於第一型半導體層上。第二型半導體層設置於發光層上。緩衝層結構設置於第一型半導體層遠離第二型半導體層的一側，並且包括第一緩衝層以及第二緩衝層，其中第二緩衝層位於第一緩衝層與第一型半導體層之間，且第一緩衝層具有比第二緩衝層大的氯濃度。
半導體封裝技術	TWI793768B	89	微型發光二極體封裝結構與微型發光二極體顯示裝置	一種微型發光二極體封裝結構，包括一第一基材、一第二基材以及一顯示單元。第二基材配置於第一基材上且具有一開口。開口暴露出部分第一基材，且開口與被暴露出的第一基材定義出一容置槽。顯示單元配置於容置槽內，且顯示單元包括一控制電路板以及一微型發光二極體組件。微型發光二極體組件配置於控制電路板上，且與控制電路板電性連接。
半導體封裝技術	TWI812424B	82	微型發光二極體結構	一種微型發光二極體結構，包括一磊晶結構、一第一絕緣層以及一第二絕緣層。磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層。第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層的一第一部分構成一平台。平台具有一頂面以及一第一側表面。第二型半導體層的一第二部分相對於平台凹陷而形成一平台面。第二型半導體層的第二部分具有一第二側表面。第一絕緣層從平台的頂面沿著第一側表面覆蓋至平台面，且暴露出第二側表面。第二絕緣層直接覆蓋第二側表面，其中第一絕緣層與第二絕緣層的厚度比值介於10至50之間。
半導體封裝技術	TWI825955B	79	修整微型電子元件的方法與裝置	一種修整微型電子元件的方法，包括：提供一基板，其中基板上配置有至少一微型電子元件；利用一第一脈衝雷射光束對基板與微型電子元件的交界加熱，以降低微型電子元件與基板的接合力；以及利用一第二脈衝雷射光束照射於微型電子元件的一表層，以於微型電子元件的表層產生因一電漿引起的一震波，震波使微型電子元件脫離基板。一種修整微型電子元件的裝置亦被提出。
半導體封裝技術	TWI787933B	72	巨量轉移設備	巨量轉移設備包括基座平台、第一基板載台、第二基板載台、至少一雷射頭及伺服馬達模組。第一基板載台適於帶動目標基板沿著第一方向相對於基座平台移動。第二基板載台適於帶動至少一微型元件基板沿著第二方向相對於第一基板載台移動。至少一微型元件基板具有基板與至少一微型元件。至少一雷射頭適於移動至對應第二基板載台的目標位置，並朝向至少一微型元件基板發出雷射光束。雷射光束用以照射至少一微型元件基板，使至少一微型元件脫離基板並與目標基板相連接。伺服馬達模組用以驅使第一基板載台、第二基板載台與至少一雷射頭移動。
半導體封裝技術	TWI814690B	58	微型發光二極體結構及顯示面板裝置	本發明係一種微型發光二極體結構及顯示面板裝置，該微型發光二極體結構係主要包含相互疊合的一第一型半導體層、一發光層、一第二型半導體層以及一基底層。發光層的寬度大於第一型半導體層的寬度以及第二型半導體層的寬度，且基底層的寬度係至少大於第二型半導體層的寬度。本發明亦公開一種混合乾式蝕刻與濕式蝕刻的微型發光二極體結構製造方法，除了縮短半導體層在濕式蝕刻製程中接觸蝕刻液的時間，以提高蝕刻穩定度外，更可避免乾式蝕刻所造成的側壁之懸浮鍵(Dangling bond)效應，同時兼具二種蝕刻方式的優勢，進一步提高外部量子效率。
半導體封裝技術	TWI833670B	42	微型元件巨量轉移設備	一種微型元件巨量轉移設備包括基座平台、移動載台、基板載台、雷射元件、滾動壓合機構及加熱機構。移動載台可動地設置在基座平台上，且具有移動路徑。基板載台可動地設置在基座平台上，且適於在重疊於移動載台的不同位置間移動。雷射元件可動地設置在基座平台上。雷射元件適於相對基板載台移動，並且朝基板載台發出雷射光束。滾動壓合機構設置在移動載台的移動路徑上，且與移動載台形成接觸區域。加熱機構對應接觸區域設置，且適於對移動載台與滾動壓合機構間的接觸區域進行加熱。一種微型元件面板的製造方法亦被提出。
半導體封裝技術	TWI823412B	41	微型元件巨量轉移設備及微型元件面板的製造方法	一種微型元件巨量轉移設備包括基座平台、移動載台、基板載台、雷射元件、滾動壓合機構及加熱機構。移動載台可動地設置在基座平台上，且具有移動路徑。基板載台可動地設置在基座平台上，且適於在重疊於移動載台的不同位置間移動。雷射元件可動地設置在基座平台上。雷射元件適於相對基板載台移動，並且朝基板載台發出雷射光束。滾動壓合機構設置在移動載台的移動路徑上，且與移動載台形成接觸區域。加熱機構對應接觸區域設置，且適於對移動載台與滾動壓合機構間的接觸區域進行加熱。一種微型元件面板的製造方法亦被提出。
半導體封裝技術	TWI819497B	25	微型發光二極體與微型發光二極體顯示面板	一種微型發光二極體，包括一磊晶結構以及一絕緣層。磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層及一第二型半導體層，且具有一第一離子佈植區。第一型半導體層的一表面至發光層鄰近表面的一頂面之間具有一第一距離。第一型半導體層的表面至第一離子佈植區的第一底側之間具有一第二距離。第二距離大於第一距離且小於平台的一高度。第一離子佈植區的第一內側的一第一延伸方向與發光層的一法線方向之間具有絕對值介於0至15度之間的一第一夾角。絕緣層覆蓋第一型半導體層的周圍與部分表面、發光層的周圍以及部分第二型半導體層的周圍。
半導體封裝技術	TWI817724B	18	微型發光元件	一種微型發光元件，包括第一型披覆層、發光層、第二型披覆層、多層窗口層以及至少一層中介層。發光層位於第一型披覆層上，且第二型披覆層位於發光層上。發光層位於第一型披覆層與第二型披覆層之間。多層窗口層位於第二型披覆層上。中介層位於相鄰的二層窗口層之間。中介層的離子摻雜濃度小於等於多層窗口層的離子摻雜濃度。
其他	TWI811810B	99	微型發光二極體顯示面板	提供一種微型發光二極體顯示面板。微型發光二極體顯示面板包含驅動基板及多個接合墊，接合墊彼此間隔地設置於驅動基板之上。微型發光二極體顯示面板也包含多個微型發光二極體結構，微型發光二極體結構電性連接於接合墊。每個微型發光二極體結構包含至少一電極，電極設置於微型發光二極體結構面向驅動基板的一側。電極具有正接觸面及側接觸面，正接觸面朝向驅動基板，且側接觸面與對應的接合墊側向地連接。
其他	TWI789995B	98	顯示面板及其製造方法	一種顯示面板，包括電路基板以及多個微型發光二極體結構。多個微型發光二極體結構分別包含微型發光晶片與成形結構。微型發光晶片電性接合至電路基板。微型發光晶片包括第一表面、第二表面以及周側表面。第一表面位於微型發光晶片朝向電路基板的一側。第二表面相對於第一表面設置。周側表面連接第一表面與第二表面。成形結構環繞微型發光晶片的周側表面且包圍第二表面。成形結構朝向遠離電路基板的方向延伸並形成內側壁。內側壁與第二表面構成容置部。
其他	TWI814413B	89	顯示面板	一種顯示面板包括畫素單元。畫素單元包括第一子畫素以及第二子畫素。第一子畫素包括第一發光元件、第一光源元件以及第一色轉換結構。第一發光元件發出的光具有第一顏色。第一色轉換結構設置於第一光源元件上且適於將第一光源元件發出的光轉換成第一顏色。第二子畫素包括第二發光元件。第二發光元件發出的光具有不同於第一顏色的第二顏色。
其他	TWI784681B	81	微型發光二極體顯示裝置	本發明公開一種微型發光二極體顯示裝置，包括一線路基板、一磊晶結構層、一金屬導電層、一光轉換層以及一遮光結構。磊晶結構層包括面向線路基板的一第一表面、遠離線路基板的一第二表面、以及彼此間隔配置的複數微型發光二極體單元，該些微型發光二極體單元與線路基板電性連接。金屬導電層設置於第二表面且直接接觸磊晶結構層，金屬導電層的各光轉換區域分別對應於該些微型發光二極體單元的其中之一。光轉換層設置於部分的該些光轉換區域內。遮光結構不覆蓋該些光轉換區域。其中，在垂直線路基板的接合表面的方向上，金屬導電層的厚度大於磊晶結構層的厚度。
其他	TWI802059B	79	微型發光二極體顯示裝置	一種微型發光二極體顯示裝置，其包括電路基板、多個定位凸起以及多個微型發光二極體。所述多個定位凸起配置於電路基板上。每一個定位凸起具有定位側表面與底面。每一定個位側表面與對應的底面之間夾有第一夾角，且第一夾角小於90度。所述多個定位凸起於電路基板上構成多個定位空間。所述多個微型發光二極體分別配置於相異的所述多個定位空間內並電性連接於電路基板。每一個微型發光二極體具有出光面及側表面。每一個出光面位於對應的微型發光二極體遠離電路基板的一側，且每一個側表面與對應的出光面之間夾有第二夾角。第二夾角大於或等於第一夾角。
其他	TWI771171B	60	微型發光二極體顯示面板	一種微型發光二極體顯示面板包括第一基板、第二基板、多個微型發光二極體、波長轉換層、遮光圖案層、濾光層以及空氣間隙。這些微型發光二極體設置於第一基板上，且分別位於多個子畫素區內。這些微型發光二極體適於發出光束。波長轉換層重疊設置於這些微型發光二極體的至少一部分。光束用於激發波長轉換層以發出轉換光束。遮光圖案層設置於第二基板上。濾光層設置在波長轉換層與第二基板之間，且重疊於這些微型發光二極體。空氣間隙設置在這些微型發光二極體的任一者、第二基板、波長轉換層與濾光層的任兩相鄰者之間。
其他	TWI805507B	57	壞點檢測排除裝置與方法	一種壞點檢測排除裝置，包括一排除單元、一影像擷取單元及一判斷單元。排除單元用以排除一基板上的至少一壞點微型元件。影像擷取單元用以擷取對應於基板上的至少一壞點微型元件的檢測影像。判斷單元耦接至影像擷取單元和排除單元。影像擷取單元在排除單元排除一壞點微型元件前先執行擷取一第一檢測影像，且於排除單元執行排除壞點微型元件後執行擷取一第二檢測影像，判斷單元根據獲取自影像擷取單元的第一、二檢測影像確認壞點微型元件是否有被排除。一種壞點檢測排除方法亦被提出。
其他	TWI782703B	55	發光二極體結構及其製造方法	一種發光二極體結構，包括一半導體堆疊層。半導體堆疊層包括一第一型半導體層、一主動層以及一第二型半導體層。主動層配置於第一型半導體層上，第二型半導體層配置於主動層上。其中，半導體堆疊層的任一側的側壁包含一粗糙面。一種發光二極體結構的製造方法亦被提出。
其他	TWI826022B	20	微型發光元件及微型發光元件顯示裝置	一種微型發光元件，包括磊晶結構、絕緣層、電極結構及犧牲層。磊晶結構包括頂面與側面。絕緣層設置在磊晶結構的頂面與側面，且絕緣層包括開口。電極結構設置於磊晶結構的頂面上且穿過絕緣層的開口以電性連接至磊晶結構。犧牲層夾置於絕緣層的表面與對應的電極結構之間。本發明更提及一種微型發光元件顯示裝置。
其他	TWI833265B	20	微型發光二極體顯示裝置	一種微型發光二極體顯示裝置，包括電路基板、磊晶結構以及導電層。磊晶結構電性連接電路基板，且包括共用層以及多個發光平台。這些發光平台配置於共用層上，其中共用層的厚度小於這些發光平台的厚度，且共用層具有被這些發光平台暴露出的第一表面，以及與第一表面相對的第二表面。導電層配置於共用層的第二表面上，並暴露出第二表面的多個子區，其中導電層在共用層的垂直投影重疊第一表面在共用層的垂直投影。
其他	TWI806571B	15	微型發光二極體結構與微型發光二極體顯示裝置	一種微型發光二極體結構，包括一磊晶結構、一電極層以及一阻障層。磊晶結構具有一表面。電極層配置於磊晶結構的表面上。阻障層配置於電極層上。阻障層於磊晶結構上的正投影面積大於且覆蓋電極層於磊晶結構上的正投影面積。